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产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    irfr5505trpbf

  • 功能描述

    MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

规格书PDF

  • 芯片型号：

    IRFR5505TRPBF

  • PDF资料下载：

    下载资料

  • 原厂全称：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 原厂简称：

    VBSEMI

  • 页数：

    8

  • 文件大小：

    1039 kb

  • 说明：

    P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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