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IRFB31N20DPBF库存信息
更新时间：2021-02-25 16:28:00- 型号
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- IRFB31N20DPBF
- IR
- 6000
- 2019+
- TO-220
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IRFB31N20DPBF中文资料
功能描述:MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB31N20DPBF PDF资料
| 型号： | IRFB31N20DPBF | 前往资料站下载： | 下载 |
| 原厂全称： | International Rectifier | 原厂简称： | IRF |
| 页数： | 12 | 文件大小： | 288 /kb |
| 说明： | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082惟 , ID = 31A ) | ||
