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IRF7403库存信息
更新时间：2021-02-25 16:28:00IRF7403中文资料
功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7403 PDF资料
| 型号： | IRF7403 | 前往资料站下载： | 下载 |
| 原厂全称： | International Rectifier | 原厂简称： | IRF |
| 页数： | 9 | 文件大小： | 114 /kb |
| 说明： | Power MOSFET | ||
