IRF7403库存信息
更新时间:2021-02-25 16:28:00IRF7403中文资料
功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7403 PDF资料
型号: | IRF7403 | 前往资料站下载: | 下载 |
原厂全称: | International Rectifier | 原厂简称: | IRF |
页数: | 9 | 文件大小: | 114 /kb |
说明: | Power MOSFET |